SiGe tozydiýlip hem atlandyrylýarkremniý germaniý tozy, ýarymgeçiriji tehnologiýasy pudagynda uly ünsi çeken materialdyr.Bu makala munuň sebäbini görkezmegi maksat edinýärSiGedürli programmalarda giňden ulanylýar we özboluşly aýratynlyklaryny we artykmaçlyklaryny öwrenýär.
Silikon germaniý tozykremniý we germaniý atomlaryndan ybarat birleşdirilen materialdyr.Bu iki elementiň birleşmegi, arassa kremniýde ýa-da germaniýada tapylmaýan ajaýyp häsiýetli material döredýär.Ulanylmagynyň esasy sebäplerinden biriSiGekremniý esasly tehnologiýalar bilen ajaýyp utgaşyklygydyr.
BirleşmekSiGekremniý esasly enjamlara birnäçe artykmaçlyk hödürleýär.Esasy artykmaçlyklaryndan biri, kremniniň elektrik häsiýetlerini üýtgetmek, şeýlelik bilen elektron bölekleriniň işleýşini gowulandyrmakdyr.Silikon bilen deňeşdirilende,SiGehas ýokary elektron we deşik hereketi bar, bu has çalt elektron daşamaga we enjamyň tizligini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär.Bu häsiýet simsiz aragatnaşyk ulgamlary we ýokary tizlikli integral zynjyrlar ýaly ýokary ýygylykly programmalar üçin aýratyn peýdalydyr.
Mundan başga-da,SiGeýagtylygy has netijeli siňdirmäge we çykarmaga mümkinçilik berýän kremniden has pes zolakly boşluk bar.Bu häsiýet, fotodetektorlar we ýagtylyk çykaryjy diodlar (LED) ýaly optoelektron enjamlary üçin gymmatly material bolýar.SiGeşeýle hem ajaýyp ýylylyk geçirijiligine eýe bolup, ýylylygy tygşytly ýaýratmaga mümkinçilik berýär we ýylylyk dolandyryşyny talap edýän enjamlar üçin amatly edýär.
Başga bir sebäpSiGegiňden ulanylmagy, bar bolan kremniniň önümçilik proseslerine laýyklygydyr.SiGe tozykremnini aňsatlyk bilen garyşdyryp, soňra himiki buglary çökdürmek (CVD) ýa-da molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýaly adaty ýarymgeçiriji önümçilik usullaryny ulanyp, kremniniň substratyna goýup bolýar.Bu bökdençsiz integrasiýa, tygşytly edýär we kremniý esasly önümçilik desgalaryny eýýäm döreden öndürijiler üçin rahat geçişini üpjün edýär.
SiGe tozydartylan kremnini hem döredip biler.Ştam, kremniý gatlagynda inçe gatlak goýup döredilýärSiGekremniniň aşaky gatlagynyň üstünde, soňra bolsa germaniý atomlaryny saýlap aýyrmak.Bu ştamm, kremniniň zolak gurluşyny üýtgedýär we elektrik aýratynlyklaryny hasam güýçlendirýär.Dartylan kremniý ýokary öndürijilikli tranzistorlarda esasy komponente öwrüldi, has çalt geçiş tizligini we az sarp ediş mümkinçiligini berdi.
Mundan başga-da,SiGe tozytermoelektrik enjamlary pudagynda giňden ulanylýar.Termoelektrik enjamlary ýylylygy elektrik toguna öwürýär we tersine, elektrik öndürmek we sowadyş ulgamlary ýaly programmalarda möhüm ähmiýete eýe bolýar.SiGeýokary ýylylyk geçirijiligine we sazlap boljak elektrik aýratynlyklaryna eýe bolup, netijeli termoelektrik enjamlaryny ösdürmek üçin ideal material berýär.
Netijede,SiGe tozy or kremniý germaniý tozyýarymgeçiriji tehnologiýasy babatynda dürli artykmaçlyklary we amalyýetleri bar.Bar bolan kremniniň amallary, ajaýyp elektrik aýratynlyklary we ýylylyk geçirijiligi ony meşhur material edýär.Integrirlenen zynjyrlaryň işleýşini gowulandyrmak, optoelektron enjamlaryny ösdürmek ýa-da täsirli termoelektrik enjamlaryny döretmek,SiGeköpugurly material hökmünde gymmatyny subut etmegini dowam etdirýär.Gözleg we tehnologiýa ösmegi bilen, garaşýarysSiGe tozanlaryýarymgeçiriji enjamlaryň geljegini emele getirmekde has möhüm rol oýnamak.
Iş wagty: Noýabr-03-2023